Intel avanza en el desarrollo de un nuevo tipo de memoria no volátil
El mayor fabricante de semiconductores se encuentra investigando con la memoria PCM (Memoria de cambio de fase), que combina lo mejor de otros tipos de almacenamiento como la NAND Flash y los discos duros.
Intel junto a su afiliada Numonyx, compañía especializada en investigación de memorias en estado sólido, han anunciado nuevos avances en el desarrollo de la nueva memoria PCM (Phase Change Memory, Memoria de cambio de fase). Aseguran que se trata de un importante paso para que pueda ser comercializada en un futuro.
La memoria PCM es un nuevo tipo de chip no volátil que combina muchos de los beneficios de los actuales diseños, como es el caso de la NAND Flash, las memorias convencionales (volátiles) o las unidades de disco duro.
El importante avance consiste en apilar hasta 64 MBytes en arrays de una única capa, que contiene tanto la propia memoria como el interruptor de interconexión. El resultado es una celda de memoria integrada denominada PCMS (Phase-change memory and switch).
De esta forma las compañías prometen sustanciales ganancias a nivel de escalabilidad, rendimiento y ahorro de energía. Además, la memoria PCM estará diseñada para permitir la ejecución de código y el almacenamiento de grandes cantidades de datos, con unos ciclos de escritura/lectura mucho más elevados que en la memoria NAND Flash, por ejemplo.
En diciembre esperan tener un whitepaper relacionado con la nueva arquitectura PCM, así como información detallada sobre este avance.
Aunque todavía no se han realizado pruebas con más de una capa de 64 MBytes, Al Fazio, director de desarrollo de tecnología en Intel afirma que “la primera capa es siempre la más difícil de conseguir. Después de más de 6 años de investigación en memoria PCM, los resultados muestran el potencial para una mayor densidad, escalabilidad y, por ende, para el uso en los productos electrónicos del futuro, ya que la memoria actual tiene importantes limitaciones a nivel físico y de fiabilidad”.
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